Placa cerâmica de carboneto de silício
Introdução
A placa cerâmica de carboneto de silício usada para disparar produtos gerais de porcelana e cerâmica (temperatura abaixo de 1.450°C), é feita pelo SiC ligado por óxido de silício (Si2O3), e tecnicamente chamada de "Carboneto de Silício Ligado ao Óxido".
Parâmetro Técnico
Análise típica da qualidade |
| Óxido ligado |
Sic (O-Sic) | ||
Temperatura máxima de serviço (°C) | 1450 | |
Composição QuímicaSiC (%) | 90 | |
Sio2 | 8 | |
Porosidade Aparente (%) | 7-8 | |
Densidade a granel (g/cm3) | 2.75 | |
Módulo da Ruptura | 50 | |
em RT (Mpa) | ||
1400°C | 55 | |
Expansão Térmica | 4.2-4.8 | |
a 1000°C (10-6K-1) | ||
Condutividade Térmica | 13.5-14.5 | |
a 1000°C (W / mK) |
Vantagem do produto
Este refratário do SiC tem uma condutividade térmica muito alta (quase 10 vezes maior que o refratário mullite) e alta taxa de radiação de infravermelho de comprimento de onda longa que trazem uma eficiência térmica muito alta em relação aos produtos.
Em termos de desempenho de custo para a demissão de produtos de porcelana e cerâmica gerais, este SiC ligado a óxido é o refratário mais valioso e adequado. A temperatura máxima recomendada de serviço da nossa Placa SiC (O-SiC) é de 1.450°C.
Equipamento de produção

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