Placa cerâmica de carboneto de silício

Placa cerâmica de carboneto de silício

A placa cerâmica de carboneto de silício usada para disparar produtos gerais de porcelana e cerâmica (temperatura abaixo de 1.450°C), é feita pelo SiC ligado por óxido de silício (Si2O3), e tecnicamente chamada de "Carboneto de Silício Ligado ao Óxido".
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Introdução de Produto

Introdução

A placa cerâmica de carboneto de silício usada para disparar produtos gerais de porcelana e cerâmica (temperatura abaixo de 1.450°C), é feita pelo SiC ligado por óxido de silício (Si2O3), e tecnicamente chamada de "Carboneto de Silício Ligado ao Óxido".

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Parâmetro Técnico

Análise típica da qualidade

 

Óxido ligado

Sic (O-Sic)

Temperatura máxima de serviço (°C)

1450

Composição QuímicaSiC (%)

90

Sio2

8

Porosidade Aparente (%)

7-8

Densidade a granel (g/cm3)

2.75

Módulo da Ruptura

50

em RT (Mpa)

1400°C

55

Expansão Térmica

4.2-4.8

a 1000°C (10-6K-1)

Condutividade Térmica

13.5-14.5

a 1000°C (W / mK)

 

Vantagem do produto

Este refratário do SiC tem uma condutividade térmica muito alta (quase 10 vezes maior que o refratário mullite) e alta taxa de radiação de infravermelho de comprimento de onda longa que trazem uma eficiência térmica muito alta em relação aos produtos.
Em termos de desempenho de custo para a demissão de produtos de porcelana e cerâmica gerais, este SiC ligado a óxido é o refratário mais valioso e adequado. A temperatura máxima recomendada de serviço da nossa Placa SiC (O-SiC) é de 1.450°C.

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Equipamento de produção

 3


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